SCT3080KW7TL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | SCT3080KW7TL |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7 |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $19.99 |
10+ | $18.368 |
100+ | $15.513 |
500+ | $13.7999 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 5mA |
Vgs (Max) | +22V, -4V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263-7 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 10A, 18V |
Verlustleistung (max) | 159W |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 800 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 18 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Grundproduktnummer | SCT3080 |
SCT3080KL ROHM
ST TO247
1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
ST TO247
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
2024/07/2
2024/06/27
2024/04/9
2024/06/3
SCT3080KW7TLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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